Kasus Penerapan Tungku Pertumbuhan Kristal Karbida Silikon dalam Industri Semikonduktor
2025.06.26
Metode Transportasi Uap Fisik (PVT) merupakan salah satu pendekatan utama dalam persiapan kristal silikon karbida (SiC). Dalam proses PVT, kristal tunggal SiC ditumbuhkan pada suhu hingga 2300℃. Proses pertumbuhan ini memerlukan pengendalian yang ketat terhadap gradien suhu. Sistem pengendalian suhu yang digunakan dalam proses ini adalah sistem kontrol umpan balik tertutup, yang terdiri atas termometer inframerah, pengontrol suhu, catu daya pemanas, dan pemanas (kumparan induksi).
→
Penerapan Peralatan Uji Keandalan untuk Perangkat Semikonduktor Diskrit
2025.06.26
Peralatan uji keandalan industri semikonduktor merupakan alat dan sistem khusus yang digunakan untuk mengevaluasi keandalan dan stabilitas perangkat diskrit semikonduktor dalam berbagai kondisi. Peralatan ini mensimulasikan beragam kondisi stres lingkungan dan stres listrik yang mungkin dihadapi oleh perangkat tersebut dalam penggunaan sebenarnya, dengan melakukan serangkaian uji dan prosedur pemantauan untuk menentukan apakah perangkat tersebut dapat berfungsi dengan baik dalam jangka waktu yang ditentukan dan di bawah kondisi tertentu. Peralatan ini terutama diklasifikasikan menjadi peralatan uji stres lingkungan, peralatan uji stres listrik, serta perangkat uji khusus lainnya.
→